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生产碳化硅所需设备

生产碳化硅所需设备

2022-05-11T09:05:46+00:00

碳化硅 ~ 制备难点知乎

2023年3月13日碳化硅器件制备过程中相对特殊的设备或要求：需使用分步投影光刻机、专用的碳化硅外延炉、高温离子注入机、高温退火和高温氧化设备；干法刻蚀设备需更高的刻蚀功率；器件封装过程中的减薄机需针 2023年5月13日碳化硅器件生产各工艺环节关键设备由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？要闻资讯中国粉体网2023 年 02 月 26 日机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速 —— 行业周报机械设备沪深碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 300 与硅基半导体材料相行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023 2021年12月24日我想了解一下碳化硅的生产工艺？因为以后要用到大量的这种材料因此想了解一下这种材料的生产工艺。比如，当前主流的生产工艺是什么？优缺点是什么？国际上先进的生产工艺是什么？生产工艺的我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎2020年12月2日碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划

1 天前毕竟，单个晶圆需花费数月时间才能在无数机器设备中完成上百个工艺步骤。“使用大尺寸晶圆进行生产能在一个生产周期内制造更多芯片，进而满足更多客户的需求 2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产 2022年12月15日在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻2023年1月4日制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料 2023年3月26日碳化硅陶瓷碳化硅陶瓷的热传导能力仅次于氧化陶瓷。利用这一特性，可作为优良的热交换器材料。太阳能发电设备中被阳光聚焦加热的热交换露，其工作温度高达1000 ~1100，具有高热传导性的碳化硅陶瓷很适合做这种热交换器的材料，从试验情况来看，碳化硅陶瓷热交换器的工作状态良好。碳化硅陶瓷的应用及加工知乎

高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望化学

2020年8月21日 2碳化硅粉体合成设备碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成采用高纯碳粉和硅粉直接反应，通过高温合成的方法生成。2023年6月26日碳化硅简介：碳化硅又称金刚砂或耐火砂，用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。炼得的碳化硅块，经破碎、酸碱洗、磁选和筛分或水选而制成各种粒度的产品。碳化硅加工设备2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅 1 天前毕竟，单个晶圆需花费数月时间才能在无数机器设备中完成上百个工艺步骤。“使用大尺寸晶圆进行生产能在一个生产周期内制造更多芯片，进而满足更多客户的需求。”Kroeger表示。小原子，大能量碳化硅芯片的强大的性能，要归功于小小的碳原子。提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划2023年6月30日根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网

碳化硅 ~ 制备难点知乎

2023年3月13日以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输法（PVT）为例，碳化硅晶棒需要在 2500℃高温下进行生产，而硅晶只需1500℃，因此需要特殊的单晶炉，且在生产中需要精确调控生长温 2022年5月16日芯片需要经过设计、制造（包括硅片制造以及晶圆制造）、封装测试才能最终落到客户手中。芯片制造流程图晶圆制造中的半导体设备，按生产流程的大类可分为光刻机、刻蚀设备、薄膜设备等十余种，每一种大类又可以按工作原理不同或处理的材料不同而除了光刻机，晶圆制造还需要哪些半导体设备？知乎2022年2月18日 22 正极材料生产线组成及设备投资市场规模正极材料加工生产线主要包括配混系统、烧结系统、粉碎系统、水洗系统（仅高镍）、包装系统、粉体输送系统和智能化控制系统等。设备投资额较高。以锂电正负极材料设备行业研究：聚焦正负极材料生产设 2022年3月22日主要设备厂商包括：Wolfspeed,Aymont,Aixtron，LHT，中国电科二所，山东天岳，天科合达，中科院硅酸盐所，中国电科四十六所等。切片机：碳化硅的切割碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产 2021年5月24日去咨询 SiC产业链解析：碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中对外延层质量的要求非常高。而且随着耐压性能的不断提高，所要求的外延层的厚度就越厚，成本也会相 SIC外延漫谈知乎

工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

2020年12月8日 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等 2022年1月5日楚江新材：子公司顶立科技，提供第三代半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）单晶所需的关键材料、关键构件和关键装备的研发和制造，自主研发了碳化硅/氮化镓新赛道已经开启哪些标的值得关注？氮化镓 2023年1月2日单晶生长环境要求高：单晶生长对温度和压力的要求苛刻，一般而言，碳化硅气相生长温度在 2000℃ ~2500℃之间，而传统硅材仅需 1600℃左右，碳化硅单晶对设备和工艺控制带来了极高的要求，温度和压力控制稍有失误，就会导致产品生长失败；晶型要碳化硅 SiC 知乎2021年12月31日碳化硅原料难取得，生产门槛更高与硅芯片制程相似，第三代半导体材料同样需要经过基板、磊晶、IC设计、制造、封装等步骤，才能产生出一颗芯片。不过，由于第三代半导体发展历史仅硅半导体一半，从制程的前段材料与长晶就有许多挑战，像是源头的【图解】如何打造一颗第三代半导体芯片？上中下游产业链、5 2022年3月5日 ③半片工艺对于切片环节设备需求的变化：考虑到“大硅片”“薄硅片”需要引入半片，对于切割设备的需求将有所改变。假设 2022 年切片机需求量在中性场景模型假设前提下，引入 15 的调整系数。光伏设备行业研究：2022年硅料硅片设备需求可能继续超预期

中国电科48所率先发布国产8英寸碳化硅外延设备湖南省工业

2023年6月30日中国电科48所聚焦国内第三代半导体产业发展需要，率先开展8英寸碳化硅外延设备关键技术突破，先后解决了衬底易开裂、外延层厚度均匀性难控制等问题，实现了大尺寸外延材料生长所需的均匀、稳定温流场分布。目前该设备已在国内头部企业上线验证。2023年4月26日生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集在 600V 低压领域，所需外延层厚度约 6µm；在 1200～1700V 中压领域，所需外延层厚碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备 2023年1月23日从事碳化硅晶片研发生产的北京天科合达，就源于物理研究所先进材料与结构分析实验室的关键核心技术转化，目前已发展为国内较大、国际第四的导电碳化硅衬底供应商。春节期间，车间高温炉子里正在从基础到应用碳化硅晶体研制获突破！知乎专栏2022年4月1日在光伏领域，公司产品线全面，可提供硅棒生产所需的晶体硅生长设备，以及后续加工至硅片的各工艺步骤所需的全套智能化加工设备。随着半导体行业国产替代进程加速，光伏行业扩产持续，预计该业务晶盛机电研究报告：晶体生长设备龙头，碳化硅培育增 2023年2月6日同时在半导体领域，公司成功研发 12 英寸双轴减薄机，深耕国产半导体设备自主可控；在碳化硅领域，公司目前产品主要有碳化硅的长晶、抛光、外延设备，同时实现碳化硅外延设备批量出货；在蓝宝石领域，公司具备 LED 照明衬底材料和窗口材料所需的晶盛机电研究报告：长晶龙头蜕变正当时，碳化硅渐入收获期

碳化硅行业专题分析：国内衬底厂商加速布局北方华创碳化硅

2023年6月25日我们认为长晶难点在于工艺而非设备本身，目前部分碳化硅衬底厂商选择自研长晶设备，也有部分厂商选择外购模式。根据公司年报及招股说明书，天科合达成立沈阳分公司生产拥有自主知识产权的碳化硅单晶生长炉，2019 年对外销售 23 台。2023年5月3日加工余量大，生产率降低，生产成本升高。碳化硅陶瓷加工的另一个问题是加工刀具费用大切削加工需使用高价的烧结金刚石，CBN刀具，精加工也是以全刚石砂较为主，因此刀具费用要高出金属切削所用刀具数十倍至百倍。碳化硅陶瓷的强度对于碳化硅陶瓷的加工方法及常见问题知乎2021年12月4日碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成设备主要技术难点在于高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统、电气控制系统、粉体合成坩埚加热与耦合技术。碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹 2022年1月13日晶棒切割：使用切割设备将碳化硅晶体切割成厚度不超过1mm的薄片。晶片研磨：通过配比好的研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。晶片抛光：通过配比好的抛光液对研磨片进行机械抛光和化学抛光，用来消除表面划痕、降低表面粗糙度中金碳化硅材料：乘碳中和之东风，国内厂商奋起直追（三 2020年7月4日目前工业上所使用的碳化硅全部是人工合成产品。碳化硅是耐火材料领域最常用的非氧化物耐火原料之一。以碳化硅为原料生产的粘土结合碳化硅、氧化物结合碳化硅、氮化硅结合碳化硅、重结晶碳化硅、反应烧结渗硅碳化硅等制品以及不定形耐火材料广泛应用于冶金工业的高炉、炼锌炉，陶瓷耐火原材料——碳化硅的合成工艺百家号

碳化硅产业链深度解析（全网最全独家）碳化硅产业链深度

2023年2月4日碳化硅优势： 1）有利于小型化，可以使电感电容尺寸小型化，节省电容电感的材料成本 2）工作速度快，频率约是 10 倍， 3）工作温度更高，功率器件，IGBT等模块的话，约170度，碳化硅可达到200 度甚至更高。 4）快充必然需要碳化硅 5）寿命更 2022年3月18日以市值来看，碳化硅概念的市值最高的上市公司为三安光电，其次是晶盛机电和时代电气。碳化硅概念龙头股可关注：晶盛机电、天岳先进、露笑科技、三安光电、东尼电子、天通股份、凤凰光学、华润微、天富能源等。三安光电表示该公司在长沙 A股的碳化硅龙头是哪家? 知乎2022年1月12日 1、公司概况：全球半绝缘型碳化硅衬底巨头，扩张 6 英寸导电型碳化硅衬底产能专注碳化硅衬底研发和生产十余年，已具备 6 英寸导电型、半绝缘型碳化硅衬底量产能力。公司前身天岳有限成立于 2010 年，创始人为宗艳民。公司成立之初，曾探索过蓝宝天岳先进研究报告：全球半绝缘SiC衬底巨头，6英寸导电型 2022年12月15日在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”2023年2月26日《工业母机、碳化硅设备国产化再迎利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高端自主化战略意义提升—行业点评报告》202327 证关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报孟鹏飞（分析师）熊亚威（分析师）行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

【行业观察】国产替代加速，我国第三代半导体碳化硅迎来新

2023年5月17日碳化硅作为第三代半导体材料，优势突出，拥有良好的发展前景，新能源汽车领域是其核心驱动力，其次为光伏及工控领域的器件应用。新能源汽车： 800V架构时代来临，SiC加速渗透的核心驱动力。据测算，2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模 2021年6月11日本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、研究进展和产业化现状，提出了未来努力的方向和解决的方案，并展望了其未来的发展趋势和应用前景。同代半导体材料硅 (Si)、锗 (Ge)和第二代半导体材料砷化镓 (GaAs)、磷化液 (InP)相第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎2021年10月15日泰科天润总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线。据泰科天润近日发布消息，目前生产线已通线，进入试生产阶段，工艺设备调通，投片40工程批次以上，综合良率90%以上，预计9月份完成可靠性实验，批量化出本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！知乎专栏2022年10月9日碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。根据碳化硅行业全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望达到 89 亿美元，其中用于新能源汽车和工业、能源的碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革 2021年6月8日 ④晶体切割。使用多线切割设备，将碳化硅晶体切割成厚度不超过 1mm 的薄片。⑤晶片研磨。通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。⑥晶片抛光。通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。⑦晶片第三代半导体材料之碳化硅（SiC）碳化硅（SiC）材料是功率

第三代半导体碳化硅行业深度研究报告（下篇）碳化硅器件

2022年3月9日碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，其中碳化硅衬底是产业链的核心区域，占据市场总成本的 50%左右。此外，碳化硅外延片和器件制造分别占据产业成本的 25%和 20%，同样是市场成本的主 2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产 2022年12月15日在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻2023年1月4日制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料 2023年3月26日碳化硅陶瓷碳化硅陶瓷的热传导能力仅次于氧化陶瓷。利用这一特性，可作为优良的热交换器材料。太阳能发电设备中被阳光聚焦加热的热交换露，其工作温度高达1000 ~1100，具有高热传导性的碳化硅陶瓷很适合做这种热交换器的材料，从试验情况来看，碳化硅陶瓷热交换器的工作状态良好。碳化硅陶瓷的应用及加工知乎